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MMBD1401 / 1403 / 1404 / 1405
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
MMBD1400 series, Rev. C1
Small Signal Diodes
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
MMBD1401 / 1403 / 1404 / 1405
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
MARKING
MMBD1401 29 MMBD1403 32
MMBD1404 33 MMBD1405 34
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
1
2
3
29
3
1
2
SOT-23
Connection Diagrams
1401
3
1403
1404 14053
3
112NC
2
3
21
2
1
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100 μA
200
V
VF
Forward Voltage I
F = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 200 mA
IF = 300 mA
760
800
920
1.0
1.1
mV
mV
V
V
IR
Reverse Current V
R = 120 V
VR = 175 V
40
100
nA
nA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
2.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 30 mA, IRR = 3.0 mA,
50 ns
RL = 100 ?
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